Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 111 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- RS-artikelnummer:
- 219-372
- Tillv. art.nr:
- PSMN7R2-100YSFX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 1 enhet)*
25,45 kr
(exkl. moms)
31,81 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 468 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 - 9 | 25,45 kr |
| 10 - 99 | 23,03 kr |
| 100 - 499 | 21,33 kr |
| 500 - 999 | 19,72 kr |
| 1000 + | 17,56 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 219-372
- Tillv. art.nr:
- PSMN7R2-100YSFX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 111A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 194W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 50nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 111A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 194W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 50nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
Nexperia N-kanal MOSFET är kvalificerad för 175 °C. Den är idealisk för både industriella och konsumenttillämpningar. Den är lämplig för synkron utjämning i AC-DC- och DC-DC-omvandlare, primär sidomkoppling i 48 V DC-DC-system, BLDC-motorstyrning, USB-PD och mobila snabbladdningsadaptrar samt flyback- och resonanttopologier.
Stark lavinenergibetyg
Avalanche-godkänd och 100 % testad
Ha-fri och i enlighet med RoHS
Relaterade länkar
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 111 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 115 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 225 A 80 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 210 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 255 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 200 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM