Nexperia N Kanal, MOSFET, 111 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- RS-artikelnummer:
- 219-371
- Tillv. art.nr:
- PSMN7R2-100YSFX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Antal (1500 enheter, på en rulle med 1500)*
26 800,50 kr
(exkl. moms)
33 501,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 30 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1500 + | 17,867 kr | 26 800,50 kr |
*vägledande pris
Alternativ
Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.
Var (i en rulle med 3000)
30 507,00 kr
(exkl. moms)
38 133,75 kr
(inkl. moms)
- RS-artikelnummer:
- 219-371
- Tillv. art.nr:
- PSMN7R2-100YSFX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 111A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 50nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 194W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 10V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 111A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 50nC | ||
Maximal effektförlust Pd 194W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 10V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
Nexperia N-kanal MOSFET är kvalificerad för 175 °C. Den är idealisk för både industriella och konsumenttillämpningar. Den är lämplig för synkron utjämning i AC-DC- och DC-DC-omvandlare, primär sidomkoppling i 48 V DC-DC-system, BLDC-motorstyrning, USB-PD och mobila snabbladdningsadaptrar samt flyback- och resonanttopologier.
Stark lavinenergibetyg
Avalanche-godkänd och 100 % testad
Ha-fri och i enlighet med RoHS
Relaterade länkar
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 111 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 115 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 66 A 30 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 300 A 25 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM