Nexperia N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM

Antal (1500 enheter, på en rulle med 1500)*

13 830,00 kr

(exkl. moms)

17 280,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 30 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1500 +9,22 kr13 830,00 kr

*vägledande pris

Alternativ

Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.

Var (i en rulle med 3000)

23 103,00 kr

(exkl. moms)

28 878,75 kr

(inkl. moms)

RS-artikelnummer:
219-316
Tillv. art.nr:
PSMN2R0-30YLE,115
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Nexperia

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

LFPAK

Serie

PSM

Typ av fäste

Yta

Antal ben

5

Maximal drain-källresistans Rds

2mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

87nC

Maximal effektförlust Pd

238W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

10V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
PH
Nexperia N-kanal MOSFET är inrymd i ett LFPAK-hus och kvalificerad för 175 °C. Den är utformad för ett brett utbud av industriella, kommunikations- och hushållstillämpningar. Nyckelanvändningar inkluderar elektronisk säkring, varmbyte, belastningsswitch och mjukstart.

Förbättrat framåtriktat säkert driftsområde för överlägsen linjär drift

Mycket låg Rdson för låga ledningsförluster

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.