STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 100 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

542,10 kr

(exkl. moms)

677,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 970 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
100 - 4905,421 kr
500 - 9904,189 kr
1000 - 24903,819 kr
2500 +3,718 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
151-907P
Tillv. art.nr:
STD12NF06LT4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

STripFET II

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

90mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

7.5nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

2.4mm

Längd

10.1mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
STMicroelectronics effekt-MOSFET, den är speciellt utformad för att minimera ingångskapacitans och grindladdning. Detta gör enheten lämplig för användning som primäromkopplare i avancerade högeffektiva isolerade DC-DC-omvandlare för telekommunikations- och datortillämpningar och tillämpningar med låga krav på grindladdning.

Exceptionell dv/dt-kapacitet

100 % avalanche-testade

Låg grindladdning

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.