STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 4.4 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 151-461
- Tillv. art.nr:
- STD5NK50ZT4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Få en mängdrabatt
Lägg till 200 till för att spara 441,40 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 20 enheter)*
319,88 kr
(exkl. moms)
399,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 040 enhet(er) från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 20 - 180 | 15,994 kr | 319,88 kr | - |
| 200 - 480 | 13,787 kr | 275,74 kr | 441,40 kr |
| 500 + | 10,814 kr | 216,28 kr | 2 590,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 151-461
- Tillv. art.nr:
- STD5NK50ZT4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 6.6mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 10.1mm | |
| Höjd | 2.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Serie SuperMESH | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 6.6mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 10.1mm | ||
Höjd 2.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET har utvecklats med Super MESH-teknik, genom optimering av en väl etablerad Power MESH-layout. Förutom en betydande minskning av on-resistansen är denna enhet utformad för att säkerställa en hög nivå av dv/dt-kapacitet för de mest krävande applikationerna.
100 % avalanche-testade
Minimal grindladdning
Mycket låg inneboende kapacitans
Zenerskyddad
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 4.4 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 2.3 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 2 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 3 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 2.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 85 A 1000 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 3 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SuperMESH