STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 14 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 151-457
- Tillv. art.nr:
- STW15NK50Z
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
328,61 kr
(exkl. moms)
410,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 665 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 65,722 kr | 328,61 kr |
| 50 - 120 | 56,672 kr | 283,36 kr |
| 125 + | 44,442 kr | 222,21 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 151-457
- Tillv. art.nr:
- STW15NK50Z
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 14A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.34Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 76nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | 50°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 5.15mm | |
| Längd | 34.95mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 15.75mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 14A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Serie SuperMESH | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.34Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 76nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur 50°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 5.15mm | ||
Längd 34.95mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 15.75mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET har utvecklats med Super MESH-teknik, genom optimering av en väl etablerad Power MESH-layout. Förutom en betydande minskning av on-resistansen är denna enhet utformad för att säkerställa en hög nivå av dv/dt-kapacitet för de mest krävande applikationerna.
100 % avalanche-testade
Minimal grindladdning
Mycket låg inneboende kapacitans
Mycket god tillverkningsrepeterbarhet
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 8.3 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 10.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH