STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.2 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV, MDmesh II
- RS-artikelnummer:
- 151-423P
- Tillv. art.nr:
- STL3NM60N
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 100 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
1 236,50 kr
(exkl. moms)
1 545,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 720 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 100 - 490 | 12,365 kr |
| 500 - 990 | 10,685 kr |
| 1000 - 2990 | 10,203 kr |
| 3000 + | 9,856 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 151-423P
- Tillv. art.nr:
- STL3NM60N
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV | |
| Serie | MDmesh II | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 22W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV | ||
Serie MDmesh II | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 22W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 9.5nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
STMicroelectronics Power MOSFET har utvecklats med andra generationens MDmesh-teknik. Denna revolutionerande Power MOSFET associerar en vertikal struktur med företagets remslayout för att ge ett av världens lägsta motstånd. Den är därför lämplig för de mest krävande omvandlarna med hög effektivitet.
100 % avalanche-testade
Låg ingångskapacitans och grindladdning