STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 30 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

110,21 kr

(exkl. moms)

137,76 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2022,042 kr110,21 kr
25 - 4520,988 kr104,94 kr
50 - 12018,838 kr94,19 kr
125 - 24516,98 kr84,90 kr
250 +16,106 kr80,53 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
829-7120
Tillv. art.nr:
STGF15H60DF
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

30A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

30W

Kapseltyp

TO-220

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

16.4mm

Längd

10.4mm

Serie

Trench Gate Field Stop

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

IGBT Discretes, STMicroelectronics


Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar