STMicroelectronics STGF15H60DF IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-220FP, Through Hole

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

108,86 kr

(exkl. moms)

136,075 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 08 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2021,772 kr108,86 kr
25 - 4520,72 kr103,60 kr
50 - 12018,592 kr92,96 kr
125 - 24516,778 kr83,89 kr
250 +15,904 kr79,52 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
829-7120
Tillv. art.nr:
STGF15H60DF
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

30 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

30 W

Package Type

TO-220FP

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

10.4 x 4.6 x 16.4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

IGBT Discretes, STMicroelectronics



IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Relaterade länkar