STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 9 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

100,13 kr

(exkl. moms)

125,16 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 20 enhet(er) levereras från den 02 mars 2026
  • Dessutom levereras 10 enhet(er) från den 02 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 4010,013 kr100,13 kr
50 - 909,498 kr94,98 kr
100 - 2409,206 kr92,06 kr
250 - 4908,96 kr89,60 kr
500 +8,736 kr87,36 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
795-7142
Tillv. art.nr:
STGF10NC60KD
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

9A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

25W

Kapseltyp

TO-220

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.5V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

4.6 mm

Serie

Low Drop

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.4mm

Höjd

16.4mm

Fordonsstandard

Nej

IGBT Discretes, STMicroelectronics


Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar

Recently viewed