onsemi FGAF40N60SMD IGBT, 80 A 600 V, 3-Pin TO-3PF, Through Hole

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

112,90 kr

(exkl. moms)

141,12 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 190 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1856,45 kr112,90 kr
20 +48,665 kr97,33 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
807-0763
Tillv. art.nr:
FGAF40N60SMD
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

80 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

115 W

Package Type

TO-3PF

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.7 x 3.2 x 26.7mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor



IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

relaterade länkar