onsemi Nej FGH40N60UFDTU, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 759-9273
- Tillv. art.nr:
- FGH40N60UFDTU
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
42,45 kr
(exkl. moms)
53,06 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 36 enhet(er) från den 09 februari 2026
- Dessutom levereras 9 enhet(er) från den 09 februari 2026
- Dessutom levereras 350 enhet(er) från den 16 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 42,45 kr |
| 10 + | 36,51 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 759-9273
- Tillv. art.nr:
- FGH40N60UFDTU
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 80A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 600V | |
| Maximal effektförlust Pd | 290W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.4V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Serie | Field Stop | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 80A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 600V | ||
Maximal effektförlust Pd 290W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.4V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Serie Field Stop | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.