Toshiba GT50JR21 IGBT, 50 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

RS-artikelnummer:: 796-5061
Tillv. art.nr:: GT50JR21
Tillverkare / varumärke:: Toshiba

Toshiba GT50JR21 IGBT, 50 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

Price Varje**

65,10 kr

(exkl. moms)

81,38 kr

(inkl. moms)

Tillfälligt slut i lager – restorder för leverans 2025-06-23*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet
1 +	65,10 kr

**vägledande pris

RS-artikelnummer:: 796-5061
Tillv. art.nr:: GT50JR21
Tillverkare / varumärke:: Toshiba

GT50JR21, Silicon N-Channel IGBT Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Maximum Continuous Collector Current	50 A
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Gate Emitter Voltage	±25V
Maximum Power Dissipation	230 W
Package Type	TO-3P
Mounting Type	Through Hole
Channel Type	N
Pin Count	3
Switching Speed	1MHz
Transistor Configuration	Single
Dimensions	15.5 x 4.5 x 20mm
Maximum Operating Temperature	+175 °C

Toshiba GT50JR21 IGBT, 50 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

IGBT Discretes, Toshiba