STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 15 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 686-8388
- Tillv. art.nr:
- STGP6NC60HD
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
89,38 kr
(exkl. moms)
111,725 kr
(inkl. moms)
Lägg till 30 enheter för att få fri frakt
I lager
- Dessutom levereras 1 645 enhet(er) från den 23 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 17,876 kr | 89,38 kr |
| 25 - 45 | 16,98 kr | 84,90 kr |
| 50 - 120 | 15,30 kr | 76,50 kr |
| 125 - 245 | 13,732 kr | 68,66 kr |
| 250 + | 13,06 kr | 65,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 686-8388
- Tillv. art.nr:
- STGP6NC60HD
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 15A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 600V | |
| Maximal effektförlust Pd | 62.5W | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Switchhastighet | 1MHz | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 9.15mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.4mm | |
| Bredd | 4.6 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 15A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 600V | ||
Maximal effektförlust Pd 62.5W | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Switchhastighet 1MHz | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 9.15mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.4mm | ||
Bredd 4.6 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
IGBT Discretes, STMicroelectronics
Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics
Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Nej STGP6NC60HD Typ N Kanal 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- STMicroelectronics Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- STMicroelectronics Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- STMicroelectronics Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- STMicroelectronics Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- STMicroelectronics Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- STMicroelectronics Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- STMicroelectronics Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-220 Genomgående hål