STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 20 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

101,47 kr

(exkl. moms)

126,84 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Beställningar under 500,00 kr (exkl. moms) kostar 119,00 kr.
I lager
  • 5 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 35 enhet(er) från den 27 februari 2026
  • Dessutom levereras 200 enhet(er) från den 18 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2020,294 kr101,47 kr
25 - 4519,264 kr96,32 kr
50 - 12018,592 kr92,96 kr
125 - 24518,166 kr90,83 kr
250 +17,718 kr88,59 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
686-8376
Tillv. art.nr:
STGP10NC60KD
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

20A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

25W

Kapseltyp

TO-220

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.5V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

10.4mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4.6 mm

Höjd

9.15mm

Fordonsstandard

Nej

IGBT Discretes, STMicroelectronics


Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar

Recently viewed