STMicroelectronics STGP10NC60KD IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

101,47 kr

(exkl. moms)

126,84 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 10 enhet(er) är redo att levereras
  • Plus 30 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
  • Dessutom levereras 35 enhet(er) från den 08 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2020,294 kr101,47 kr
25 - 4519,264 kr96,32 kr
50 - 12018,592 kr92,96 kr
125 - 24518,166 kr90,83 kr
250 +17,718 kr88,59 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
686-8376
Tillv. art.nr:
STGP10NC60KD
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

20 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

10.4 x 4.6 x 9.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

IGBT Discretes, STMicroelectronics



IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

relaterade länkar