Semikron Danfoss, IGBT-modul, Typ N Kanal, 260 A 1700 V, 7 Ben, SEMITRANS Panel 2

Denna bild representerar endast produktgruppen

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

3 572,93 kr

(exkl. moms)

4 466,16 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Beställningar under 500,00 kr (exkl. moms) kostar 119,00 kr.
Sista RS lager
  • Dessutom levereras 31 enhet(er) från den 23 februari 2026
  • Sista 86 enhet(er) levereras från den 02 mars 2026
Enheter
Per enhet
1 - 93 572,93 kr
10 - 193 022,66 kr
20 +2 661,79 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
505-3217
Tillv. art.nr:
SKM200GB176D
Tillverkare / varumärke:
Semikron Danfoss
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Semikron Danfoss

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

260A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1700V

Antal transistorer

2

Kapseltyp

SEMITRANS

Fästetyp

Panel

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

7

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.45V

Minsta arbetsstemperatur

150°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

-40°C

Bredd

61.4 mm

Längd

106.4mm

Höjd

30mm

Serie

SKM200GB176D

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Dubbla IGBT-moduler


En serie SEMITOP® IGBT-moduler från Semikron som innehåller två seriekopplade (halvbrygga) IGBT-enheter. Modulerna finns i ett stort antal spännings- och strömklasser och är lämpliga för en mängd olika applikationer med kraftomkoppling, t.ex. frekvensomriktare och avbrottsfria nätaggregat.

Kompakt SEMITOP®-förpackning

Lämplig för omkopplingsfrekvenser upp till 12 kHz

Isolerad kopparbasplatta med Direct Bonded Copper-teknik

IGBBT-moduler, Semikron


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar

Recently viewed