Semikron Danfoss, IGBT-modul, Typ N Kanal, 195 A 600 V, 7 Ben, SEMITRANS Panel 2

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

1 082,88 kr

(exkl. moms)

1 353,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare

Enheter
Per enhet
1 - 11 082,88 kr
2 - 41 028,94 kr
5 - 9897,57 kr
10 - 19804,50 kr
20 +764,51 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
505-3138
Tillv. art.nr:
SKM145GB066D
Tillverkare / varumärke:
Semikron Danfoss
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Semikron Danfoss

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

195A

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Antal transistorer

2

Kapseltyp

SEMITRANS

Typ av fäste

Panel

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

7

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.9V

Minsta arbetsstemperatur

175°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

-40°C

Längd

94mm

Standarder/godkännanden

No

Serie

SKM145GB066D

Höjd

29.5mm

Fordonsstandard

Nej

Dubbla IGBT-moduler


En serie SEMITOP® IGBT-moduler från Semikron som innehåller två seriekopplade (halvbrygga) IGBT-enheter. Modulerna finns i ett stort antal spännings- och strömklasser och är lämpliga för en mängd olika applikationer med kraftomkoppling, t.ex. frekvensomriktare och avbrottsfria nätaggregat.

Kompakt SEMITOP®-förpackning

Lämplig för omkopplingsfrekvenser upp till 12 kHz

Isolerad kopparbasplatta med Direct Bonded Copper-teknik

IGBBT-moduler, Semikron


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar