Infineon, IGBT-modul, 69 A 1200 V, 8 Ben, Modul Panel

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

474,48 kr

(exkl. moms)

593,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 23 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 4474,48 kr
5 - 9465,02 kr
10 - 99431,42 kr
100 - 249395,47 kr
250 +364,90 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-7361
Tillv. art.nr:
DDB6U75N16W1RBOMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

69A

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

335W

Kapseltyp

Modul

Fästetyp

Panel

Antal ben

8

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.25V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

16.4mm

Standarder/godkännanden

IEC61140, EN61140

Längd

62.8mm

Bredd

33.8 mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon Diode Bridge Modules with Brake Chopper and NTC for a more compact converter design. It has 1600 V repetitive peak reverse voltage and 65 A Maximum RMS forward current per chip.

Thermal resistance

Al2O3 internal isolation

Total power dissipation 335W

15 A continuous DC forward current

Relaterade länkar