Infineon, IGBT-modul, 69 A 1200 V, 8 Ben, Modul Panel

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 fack med 24 enheter)*

9 307,704 kr

(exkl. moms)

11 634,624 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 01 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per fack*
24 - 96387,821 kr9 307,70 kr
120 +355,498 kr8 531,95 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-7360
Tillv. art.nr:
DDB6U75N16W1RBOMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

69A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

335W

Kapseltyp

Modul

Fästetyp

Panel

Antal ben

8

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.25V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

33.8 mm

Standarder/godkännanden

IEC61140, EN61140

Längd

62.8mm

Höjd

16.4mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon Diode Bridge Modules with Brake Chopper and NTC for a more compact converter design. It has 1600 V repetitive peak reverse voltage and 65 A Maximum RMS forward current per chip.

Thermal resistance

Al2O3 internal isolation

Total power dissipation 335W

15 A continuous DC forward current

Relaterade länkar