Infineon, IGBT-modul, 69 A 1200 V, 8 Ben, Modul Panel

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 fack med 24 enheter)*

6 542,472 kr

(exkl. moms)

8 178,096 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per fack*
24 - 96272,603 kr6 542,47 kr
120 +249,881 kr5 997,14 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-7360
Tillv. art.nr:
DDB6U75N16W1RBOMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

69A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

335W

Kapseltyp

Modul

Typ av fäste

Panel

Antal ben

8

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.25V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

16.4mm

Standarder/godkännanden

IEC61140, EN61140

Längd

62.8mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons diodbryggmoduler med bromschopper och NTC för en mer kompakt omvandlardesign. Den har 1600 V repetitiv topp-omvänd spänning och 65 A maximal RMS framåtriktad ström per chip.

Termisk resistans

Al2O3 intern isolering

Total effektförlust 335 W

15 A kontinuerlig framåtriktad DC-ström

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.