Infineon BSC16DN25NS3GATMA1 IGBT, 8-Pin PG-TDSON-8, Through Hole

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

63,33 kr

(exkl. moms)

79,16 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 85 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4512,666 kr63,33 kr
50 - 49510,572 kr52,86 kr
500 - 9959,05 kr45,25 kr
1000 - 24958,892 kr44,46 kr
2500 +8,668 kr43,34 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-5240
Tillv. art.nr:
BSC16DN25NS3GATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

62.5 W

Package Type

PG-TDSON-8

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

8

The Infineon MOSFET is a N channel MOSFET with 150 degree Celsius operating temperature. It is an optimized for dc to dc conversion. This MOSFET is qualified according to JEDEC for target applications. This MOSFET is halogen free according to IEC61249 2 21 standard.

RoHS compliant
Pb free lead plating
Low on resistance
Excellent gate charge

relaterade länkar