Infineon BSC018NE2LSATMA1 IGBT, 153 A 25 V, 8-Pin PG-TDSON-8, Through Hole

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

39,45 kr

(exkl. moms)

49,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 95 enhet(er) från den 19 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 457,89 kr39,45 kr
50 - 4956,586 kr32,93 kr
500 - 9955,622 kr28,11 kr
1000 - 24955,532 kr27,66 kr
2500 +5,42 kr27,10 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-5234
Tillv. art.nr:
BSC018NE2LSATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

153 A

Maximum Collector Emitter Voltage

25 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Package Type

PG-TDSON-8

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

8

The Infineon MOSFET is a 25 V N channel MOSFET. It is optimized for high performance buck converter. This MOSFET is qualified according to JEDEC for target applications. This MOSFET is halogen free according to IEC61249 2 21 standard.

RoHS compliant
Pb free lead plating
Very low on resistance
Superior thermal resistance
100 percent avalanche tested

relaterade länkar