Infineon BSC16DN25NS3GATMA1 IGBT, 8-Pin PG-TDSON-8, Through Hole

Se alla IGBTs

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

94 255,00 kr

(exkl. moms)

117 820,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 20 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +18,851 kr94 255,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-5239
Tillv. art.nr:
BSC16DN25NS3GATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

62.5 W

Package Type

PG-TDSON-8

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

8

The Infineon MOSFET is a N channel MOSFET with 150 degree Celsius operating temperature. It is an optimized for dc to dc conversion. This MOSFET is qualified according to JEDEC for target applications. This MOSFET is halogen free according to IEC61249 2 21 standard.

RoHS compliant
Pb free lead plating
Low on resistance
Excellent gate charge

relaterade länkar