Infineon, IGBT-modul, 50 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247
- RS-artikelnummer:
- 259-1526
- Tillv. art.nr:
- IGW50N65F5FKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 30 enheter)*
745,11 kr
(exkl. moms)
931,38 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 180 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 24,837 kr | 745,11 kr |
| 60 - 120 | 23,598 kr | 707,94 kr |
| 150 + | 22,60 kr | 678,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 259-1526
- Tillv. art.nr:
- IGW50N65F5FKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 50A | |
| Produkttyp | IGBT-modul | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 305W | |
| Kapseltyp | PG-TO-247 | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 ±30 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, JEDEC | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 50A | ||
Produkttyp IGBT-modul | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 305W | ||
Kapseltyp PG-TO-247 | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 ±30 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.6V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, JEDEC | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon new TRENCHSTOPIGBT technology redefines “Best-in-class” IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market’s high efficiency demands of tomorrow. It has best-in-class efficiency, resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability. 50V increase in the bus voltage possible without compromising reliability.
650V breakthrough voltage
Compared to Infineon’s Best-in-class HighSpeed 3 family
Factor 2.5 lower Q g
Factor 2 reduction in switching losses
200mV reduction in V CE(sat)
Low C OES/E OSS
Mild positive temperature coefficient V CE(sat)
Temperature stabilit