Bourns BIDW50N65T Single Diode IGBT, 50 A 650 V TO-247

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

112,94 kr

(exkl. moms)

141,18 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 102 enhet(er) från den 09 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 856,47 kr112,94 kr
10 - 4850,735 kr101,47 kr
50 - 9847,88 kr95,76 kr
100 - 24841,665 kr83,33 kr
250 +40,825 kr81,65 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
253-3509
Tillv. art.nr:
BIDW50N65T
Tillverkare / varumärke:
Bourns
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Bourns

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

416 W

Package Type

TO-247

Configuration

Single Diode

The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteristics with a lower Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)) and fewer switching losses. In addition, this structure provides a lower thermal resistance R(th).

650 V, 50 A, Low Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat))
Trench-Gate Field-Stop technology
Optimized for conduction
RoHS compliant

relaterade länkar