Bourns BIDW50N65T Single Diode IGBT, 50 A 650 V TO-247

Se alla IGBTs

Antal (1 rör med 600 enheter)*

17 314,20 kr

(exkl. moms)

21 642,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 600 enhet(er) från den 12 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
600 +28,857 kr17 314,20 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
253-3508
Tillv. art.nr:
BIDW50N65T
Tillverkare / varumärke:
Bourns
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Bourns

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

416 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-247

Configuration

Single Diode

The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteristics with a lower Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)) and fewer switching losses. In addition, this structure provides a lower thermal resistance R(th).

650 V, 50 A, Low Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat))
Trench-Gate Field-Stop technology
Optimized for conduction
RoHS compliant

relaterade länkar