Infineon, IGBT-modul 1200 V, EconoPIM 7

Antal (1 fack med 10 enheter)*

9 678,93 kr

(exkl. moms)

12 098,66 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 14 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per fack*
10 +967,893 kr9 678,93 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
244-5851
Tillv. art.nr:
FP75R12KT4BOSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

385W

Antal transistorer

7

Kapseltyp

EconoPIM

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.15V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

122mm

Bredd

62.5 mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Serie

FP75R12KT4B

Höjd

17mm

Fordonsstandard

Nej

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 355 W, maximum gate threshold voltage is 6.5 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)

Gate-emitter peak voltage + /- 20 V

Collector-emitter saturation voltage 2.15 V

Gate-emitter leakage current 400 nA

Relaterade länkar