Infineon FP75R12KT4BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V EconoPIM

Se alla IGBTs

Antal (1 fack med 10 enheter)*

14 650,38 kr

(exkl. moms)

18 312,98 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 16 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Bricka*
10 +1 465,038 kr14 650,38 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
244-5851
Tillv. art.nr:
FP75R12KT4BOSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

75 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

7

Package Type

EconoPIM

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 355 W, maximum gate threshold voltage is 6.5 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)
Gate-emitter peak voltage + /- 20 V
Collector-emitter saturation voltage 2.15 V
Gate-emitter leakage current 400 nA

Relaterade länkar