Infineon, IGBT-modul 1200 V 7

Se alla IGBT:er

Antal (1 fack med 10 enheter)*

18 719,58 kr

(exkl. moms)

23 399,48 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Beställningar under 500,00 kr (exkl. moms) kostar 119,00 kr.
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 11 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per fack*
10 +1 871,958 kr18 719,58 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
244-5379
Tillv. art.nr:
FP100R12KT4BOSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Antal transistorer

7

Maximal effektförlust Pd

515W

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.1V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

122mm

Höjd

17mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Serie

FP100R12KT4

Bredd

62 mm

Fordonsstandard

Nej

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 200 A and collector-emitter saturation voltag 2.20 V, gate threshold voltage is 6.4 V.

Collector-emitter cut-off current 1.0 mA

Temperature under switching conditions 150° C

Gate-emitter leakage current 100 nA

Reverse transfer capacitance 0.27 nF

Relaterade länkar