Infineon, IGBT-modul 1200 V 7

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 fack med 15 enheter)*

9 019,995 kr

(exkl. moms)

11 274,99 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 21 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per fack*
15 - 15601,333 kr9 020,00 kr
30 +571,252 kr8 568,78 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
244-5389
Tillv. art.nr:
FP25R12W2T4B11BOMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Antal transistorer

7

Maximal effektförlust Pd

175W

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.25V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

42.5 mm

Längd

51mm

Serie

FP25R12W2T4B11B

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

12mm

Fordonsstandard

Nej

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 50 A and maximum collector-emitter saturation voltag 2.25 V, gate threshold voltage is 6.4 V.

Collector-emitter cut-off current 1.0 mA

Temperature under switching conditions 150° C

Gate-emitter leakage current 400 nA

Reverse transfer capacitance 0.05 nF

Relaterade länkar