Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 34 A 650 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

210,11 kr

(exkl. moms)

262,64 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 340 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 4021,011 kr210,11 kr
50 - 9019,958 kr199,58 kr
100 - 24019,544 kr195,44 kr
250 - 49018,278 kr182,78 kr
500 +17,013 kr170,13 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
226-6082
Tillv. art.nr:
IKA15N65ET6XKSA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

34A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

35.3W

Kapseltyp

TO-220

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

30 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.5V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Serie

TrenchStop

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Fordonsstandard

Nej

The Infineon IKA10N65ET6 is good thermal performance, especially at higher frequencies and increased design margin and reliability. It is very soft, fast recovery anti-parallel rapid diode. It has low losses to meet energy efficient requirements.

Very low VCE(sat) 1.5V(typ.)

Maximum junction temperature 175°C

Low gate chargeQG

Pb-free lead platingRoHS compliant

Relaterade länkar