Infineon, IGBT, N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 215-6632
- Tillv. art.nr:
- IGP40N65H5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
167,33 kr
(exkl. moms)
209,16 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 435 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 33,466 kr | 167,33 kr |
| 25 - 45 | 30,128 kr | 150,64 kr |
| 50 - 120 | 28,112 kr | 140,56 kr |
| 125 - 245 | 26,096 kr | 130,48 kr |
| 250 + | 24,438 kr | 122,19 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-6632
- Tillv. art.nr:
- IGP40N65H5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 74A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 250W | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±30 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.65V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 4.57mm | |
| Längd | 29.95mm | |
| Bredd | 10.36mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Serie | TrenchStop | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 74A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 250W | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 3 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±30 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.65V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 4.57mm | ||
Längd 29.95mm | ||
Bredd 10.36mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Serie TrenchStop | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons höghastighetsomkopplande serie femte generationens isolerad bipolär grindtransistor med låg grindladdning.
Högeffektiv
Låga omkopplingsförluster
Ökad tillförlitlighet
Låg elektromagnetisk störning
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- Infineon, IGBT i TRENCHSTOP TM 5 Technology, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Yta
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 30 A 650 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 34 A 650 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål