Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 34 A 650 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

939,45 kr

(exkl. moms)

1 174,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 300 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 5018,789 kr939,45 kr
100 - 20015,03 kr751,50 kr
250 - 45014,278 kr713,90 kr
500 - 95013,53 kr676,50 kr
1000 +12,965 kr648,25 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
226-6081
Tillv. art.nr:
IKA15N65ET6XKSA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

34A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

35.3W

Kapseltyp

TO-220

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

30 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.5V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Serie

TrenchStop

Fordonsstandard

Nej

The Infineon IKA10N65ET6 is good thermal performance, especially at higher frequencies and increased design margin and reliability. It is very soft, fast recovery anti-parallel rapid diode. It has low losses to meet energy efficient requirements.

Very low VCE(sat) 1.5V(typ.)

Maximum junction temperature 175°C

Low gate chargeQG

Pb-free lead platingRoHS compliant

Relaterade länkar