Infineon, IGBT, N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 226-6107
- Tillv. art.nr:
- IKP40N65F5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
116,82 kr
(exkl. moms)
146,02 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Håller på att utgå
- Dessutom levereras 45 enhet(er) från den 23 september 2026
- Sista 500 enhet(er) levereras från den 21 januari 2027
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 23,364 kr | 116,82 kr |
| 25 - 45 | 21,012 kr | 105,06 kr |
| 50 - 120 | 19,622 kr | 98,11 kr |
| 125 - 245 | 18,234 kr | 91,17 kr |
| 250 + | 16,822 kr | 84,11 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6107
- Tillv. art.nr:
- IKP40N65F5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 74A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 255W | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.6V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 30 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 74A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 255W | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 3 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.6V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 30 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Standarder/godkännanden JEDEC | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon IKP40N65F5 är en 650 V höghastighets hårdväxlande IGBT som använder sampackad med snabb si-diodteknik. Den har en högre effekttäthet och har låg COES/EOSS.
Faktor 2,5 lägre Qg
Faktor 2-reducering av omkopplingsförluster
200 mV-reduktion i VCEsat
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- Infineon, IGBT i TRENCHSTOP TM 5 Technology, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Yta
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 30 A 650 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 34 A 650 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål