Infineon IKB40N65ES5ATMA1 IGBT, 79 A 650 V, 3-Pin PG-TO263-3

Se alla IGBTs

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

14 500,00 kr

(exkl. moms)

18 120,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 4 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +14,50 kr14 500,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-6654
Tillv. art.nr:
IKB40N65ES5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

79 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20 V, ±30 V

Maximum Power Dissipation

230 W

Package Type

PG-TO263-3

Pin Count

3

The Infineon high speed switching series fifth generation insulated-gate bipolar transistor.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

relaterade länkar