Sök efter MPN

Infineon IKB15N65EH5ATMA1 IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin PG-TO263-3

RS-artikelnummer:: 215-6648
Tillv. art.nr:: IKB15N65EH5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon IKB15N65EH5ATMA1 IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin PG-TO263-3

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

146,50 kr

(exkl. moms)

183,10 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

920 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
5 - 20	29,30 kr	146,50 kr
25 - 45	26,364 kr	131,82 kr
50 - 120	24,618 kr	123,09 kr
125 - 245	22,848 kr	114,24 kr
250 +	21,10 kr	105,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 215-6648
Tillv. art.nr:: IKB15N65EH5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	30 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20 V, ±30 V
	Maximum Power Dissipation	105 W
	Package Type	PG-TO263-3
	Pin Count	3

	Välj alla
	Brand Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 30 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±30 V
	Maximum Power Dissipation 105 W
	Package Type PG-TO263-3
	Pin Count 3

Datasheet-IKB15N65EH5ATMA1

The Infineon high speed switching insulated-gate bipolar transistor copacked with full rated current rapid 1 antiparallel diode also has 650v breakdown voltage.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Infineon IKB15N65EH5ATMA1 IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin PG-TO263-3

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

relaterade länkar