Infineon, IGBT, N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 226-6116
- Tillv. art.nr:
- IKW50N65EH5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 30 enheter)*
1 033,32 kr
(exkl. moms)
1 291,65 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 150 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 34,444 kr | 1 033,32 kr |
| 60 - 120 | 32,726 kr | 981,78 kr |
| 150 + | 31,341 kr | 940,23 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6116
- Tillv. art.nr:
- IKW50N65EH5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 80A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 275W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 30 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.65V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 41.42mm | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Bredd | 16.13mm | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 80A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 275W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 30 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.65V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 41.42mm | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Bredd 16.13mm | ||
Standarder/godkännanden JEDEC | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon höghastighets femte generationens serie IGBT, 650 V maximal kollektorsändarspänning, 80 A maximal kontinuerlig kollektorström – IKW50N65EH5XKSA1
Denna IGBT är en effekthalvledarenhet som är utformad för att koppla om och styra högspänning, högströmslaster i kraftelektroniska system. Den är avsedd för tillämpningar som kräver ett robust temperaturområde och betydande kontinuerlig strömhantering, och levereras i en TO-247-förpackning med genomgående hål som är lämplig för konventionell montering och kylelement.
Funktioner och fördelar:
• Kollektor-emitterklassning på 650 V möjliggör hantering av högspänningskretsar
• 80 A kontinuerlig kollektorström stöder stora lastdrivna tillämpningar
• 1,65 V Vce(sat) minskar ledningsförluster vid högt strömflöde
• 275 W effektförlust möjliggör kontinuerlig termisk belastning under drift
• Maximalt 30 V gate-emitter möjliggör starka gate-drivmarginaler
• Fungerar från -40 °C till 175 °C för breda temperaturmiljöer
• 80 A kontinuerlig kollektorström stöder stora lastdrivna tillämpningar
• 1,65 V Vce(sat) minskar ledningsförluster vid högt strömflöde
• 275 W effektförlust möjliggör kontinuerlig termisk belastning under drift
• Maximalt 30 V gate-emitter möjliggör starka gate-drivmarginaler
• Fungerar från -40 °C till 175 °C för breda temperaturmiljöer
Användningsområden
• Lämplig för växelriktarsteg i industriella drivenheter
• Idealisk för högspänningsmoduler för strömomvandling
• Används med stora motorstyrenheter som kräver hög ström
• Kan användas för switchade nätaggregat i kraftiga system
• Lämplig för rackmonterad kraftelektronik med montering med genomgående hål
• Idealisk för högspänningsmoduler för strömomvandling
• Används med stora motorstyrenheter som kräver hög ström
• Kan användas för switchade nätaggregat i kraftiga system
• Lämplig för rackmonterad kraftelektronik med montering med genomgående hål
Vilket paket och monteringsmetod använder den?
Den levereras i en TO-247-kapsel och är utformad för montering med genomgående hål.
Vilka gränssnittsgränser måste jag följa för att undvika skador?
Grindemitter-spänningen får inte överstiga 30 V under några driftsförhållanden.
Hur fungerar den vid förhöjda omgivningstemperaturer?
Den är klassad för drift upp till 175 °C, med specificerad effektförlust upp till 275 W för att hantera termisk belastning.
Är den lämplig för fordonsstandarddesigner?
Den är inte klassificerad enligt fordonsstandarder och bör inte anses överensstämma med dessa tillämpningar.
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 80 A 650 V 30 kHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, Omvänt ledande IGBT, N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 80 A 650 V, 4 Ben, PG-TO-247-4-STD-NT3.7 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247-3-STD-NN4.8 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, 80 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247
- Infineon, IGBT, N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 40 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål