Fairchild Semiconductor AEC-Q101, IGBT, N Kanal, 46 A 390 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- RS-artikelnummer:
- 862-9362
- Tillv. art.nr:
- ISL9V5036S3ST
- Tillverkare / varumärke:
- Fairchild Semiconductor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (5 enheter, i en förpackning med 5)*
189,74 kr
(exkl. moms)
237,18 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 795 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 37,948 kr | 189,74 kr |
| 10 - 95 | 32,142 kr | 160,71 kr |
| 100 - 245 | 25,728 kr | 128,64 kr |
| 250 - 495 | 24,248 kr | 121,24 kr |
| 500 + | 22,92 kr | 114,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 862-9362
- Tillv. art.nr:
- ISL9V5036S3ST
- Tillverkare / varumärke:
- Fairchild Semiconductor
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Fairchild Semiconductor | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 46A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 390V | |
| Maximal effektförlust Pd | 250W | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±10 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Serie | EcoSPARK | |
| Energimärkning | 500mJ | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Fairchild Semiconductor | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 46A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 390V | ||
Maximal effektförlust Pd 250W | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 3 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±10 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.6V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Serie EcoSPARK | ||
Energimärkning 500mJ | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Diskreta IGBT:er, Fairchild Semiconductor
Diskreta IGBBT och moduler, Fairchild Semiconductor
Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.
Relaterade länkar
- Fairchild Semiconductor AEC-Q101, IGBT, N Kanal, 46 A 390 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Fairchild Semiconductor AEC-Q101, IGBT, N Kanal, 21 A 430 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Fairchild Semiconductor AEC-Q101, IGBT, N Kanal, 21 A 430 V 15 μs, 3 Ben, TO-220AB Genomgående hål
- Fairchild Semiconductor AEC-Q101, Kiselövergång Enkel, 400 mA 100 V, 2 Ben, DO-35
- onsemi AEC-Q101, IGBT, N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- STMicroelectronics AEC-Q101, IGBT, N Kanal, 30 A 390 V 1 MHz, 3 Ben, TO-252 Yta
- STMicroelectronics AEC-Q101, IGBT, N Kanal, 25 A 450 V 8.4 μs, 3 Ben, TO-263 Yta
- STMicroelectronics AEC-Q101, IGBT, N Kanal, 30 A 420 V 1 MHz, 3 Ben, TO-263 Yta