onsemi, IGBT, Typ N Kanal, 10 A 430 V, 3 Ben, TO-252 Yta

Se alla IGBT:er

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

35,04 kr

(exkl. moms)

43,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 2 090 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +7,008 kr35,04 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
862-9347
Tillv. art.nr:
ISL9V2040D3ST
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

10A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

430V

Maximal effektförlust Pd

130W

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±10 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.9V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Serie

EcoSPARK

Fordonsstandard

Nej

Energimärkning

200mJ

Diskreta IGBT:er, Fairchild Semiconductor


Diskreta IGBBT och moduler, Fairchild Semiconductor


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.