onsemi, IGBT-fält Stop II, Typ N Kanal, 70 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

107,43 kr

(exkl. moms)

134,288 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 22 enhet(er) levereras från den 10 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1853,715 kr107,43 kr
20 +46,28 kr92,56 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
842-7898
Tillv. art.nr:
NGTB35N65FL2WG
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

70A

Produkttyp

IGBT-fält Stop II

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

300W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.7V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

16.25 mm

Serie

Field Stop

Längd

20.8mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

5.3mm

Fordonsstandard

Nej

IGBT Discretes, ON Semiconductor


Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.

IGBT Discretes, ON Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Relaterade länkar