STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 30 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 829-7120
- Tillv. art.nr:
- STGF15H60DF
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 205,00 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
110,21 kr
(exkl. moms)
137,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 18 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 22,042 kr | 110,21 kr | - |
| 50 - 245 | 17,942 kr | 89,71 kr | 205,00 kr |
| 250 - 495 | 13,666 kr | 68,33 kr | 2 094,00 kr |
| 500 + | 12,124 kr | 60,62 kr | 4 959,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 829-7120
- Tillv. art.nr:
- STGF15H60DF
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 30A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 600V | |
| Maximal effektförlust Pd | 30W | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 3 | |
| Switchhastighet | 1MHz | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 16.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.6mm | |
| Serie | Trench Gate Field Stop | |
| Längd | 10.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 30A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 600V | ||
Maximal effektförlust Pd 30W | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 3 | ||
Switchhastighet 1MHz | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 16.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.6mm | ||
Serie Trench Gate Field Stop | ||
Längd 10.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
IGBT Discretes, STMicroelectronics
Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics
Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.
Relaterade länkar
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 30 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 7.5 A 600 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 11 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 9 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 40 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 20 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 15 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 25 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål