Toshiba, Bipolära transistorer med isolerad gate, N Kanal, 30 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-3P Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 796-5058
- Tillv. art.nr:
- GT30J121
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Få en mängdrabatt
Lägg till 25 till för att spara 64,50 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
50,40 kr
(exkl. moms)
63,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 42 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 20 enhet(er) från den 16 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 24 | 50,40 kr | - |
| 25 - 49 | 47,82 kr | 64,50 kr |
| 50 - 199 | 45,14 kr | 263,00 kr |
| 200 - 399 | 40,32 kr | 2 016,00 kr |
| 400 + | 37,63 kr | 5 108,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 796-5058
- Tillv. art.nr:
- GT30J121
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Toshiba | |
| Produkttyp | Bipolära transistorer med isolerad gate | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 30A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 600V | |
| Maximal effektförlust Pd | 170W | |
| Kapseltyp | TO-3P | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 3 | |
| Switchhastighet | 1MHz | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.45V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Toshiba | ||
Produkttyp Bipolära transistorer med isolerad gate | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 30A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 600V | ||
Maximal effektförlust Pd 170W | ||
Kapseltyp TO-3P | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 3 | ||
Switchhastighet 1MHz | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.45V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
IGBT Diskret, Toshiba
Diskreta IGBBT-enheter och moduler, Toshiba
Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.
Relaterade länkar
- Toshiba, Bipolära transistorer med isolerad gate, N Kanal, 30 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-3P Genomgående hål
- Bipolära transistorer
- Infineon, FR bipolär transistor 20 mA 20 V, 6 Ben, SOT-363 Två (galvaniskt) internt isolerade transistorer i ett paket
- Toshiba, IGBT, N Kanal, 50 A 600 V, 3 Ben, TO-3P Genomgående hål, Genomgående hål
- Toshiba, Diskret IGBT, N Kanal, 50 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-3P Genomgående hål
- Toshiba GT50J342,Q(O IGBT, 80 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3P, TK
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 15.8 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3P, DTMOSIV