STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 30 A 1200 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 795-9136P
- Tillv. art.nr:
- STGW30NC120HD
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal 10 enheter (levereras i ett rör)*
370,15 kr
(exkl. moms)
462,69 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 166 enhet(er) från den 23 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 10 - 24 | 37,015 kr |
| 26 - 98 | 34,89 kr |
| 100 - 498 | 29,905 kr |
| 500 + | 26,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 795-9136P
- Tillv. art.nr:
- STGW30NC120HD
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 30A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Maximal effektförlust Pd | 220W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Switchhastighet | 1MHz | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±25 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.75V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 14.8mm | |
| Bredd | 15.75 mm | |
| Standarder/godkännanden | ECOPACK, JEDEC JESD97 | |
| Höjd | 20.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 30A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Maximal effektförlust Pd 220W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Switchhastighet 1MHz | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±25 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.75V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 14.8mm | ||
Bredd 15.75 mm | ||
Standarder/godkännanden ECOPACK, JEDEC JESD97 | ||
Höjd 20.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
IGBT Discretes, STMicroelectronics
Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics
Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.