STMicroelectronics, Trench Gate Fältstopp IGBT, Typ N Kanal, 60 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-3PF Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

76,38 kr

(exkl. moms)

95,48 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 30 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 838,19 kr76,38 kr
10 - 1836,29 kr72,58 kr
20 - 4832,65 kr65,30 kr
50 - 9829,345 kr58,69 kr
100 +27,83 kr55,66 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
792-5779
Tillv. art.nr:
STGFW30V60DF
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

60A

Produkttyp

Trench Gate Fältstopp IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

260W

Kapseltyp

TO-3PF

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Serie

V

Bredd

5.7 mm

Standarder/godkännanden

ECOPACK

Höjd

26.7mm

Längd

15.7mm

Fordonsstandard

Nej

IGBT Discretes, STMicroelectronics


Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar