STMicroelectronics, Trench Gate Fältstopp IGBT, Typ N Kanal, 60 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-3PF Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 792-5779
- Tillv. art.nr:
- STGFW30V60DF
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
78,51 kr
(exkl. moms)
98,138 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 20 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 39,255 kr | 78,51 kr |
| 10 - 18 | 37,295 kr | 74,59 kr |
| 20 - 48 | 33,60 kr | 67,20 kr |
| 50 - 98 | 30,24 kr | 60,48 kr |
| 100 + | 28,615 kr | 57,23 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 792-5779
- Tillv. art.nr:
- STGFW30V60DF
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 60A | |
| Produkttyp | Trench Gate Fältstopp IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 600V | |
| Maximal effektförlust Pd | 260W | |
| Kapseltyp | TO-3PF | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Switchhastighet | 1MHz | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.3V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | ECOPACK | |
| Serie | V | |
| Höjd | 26.7mm | |
| Längd | 15.7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 60A | ||
Produkttyp Trench Gate Fältstopp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 600V | ||
Maximal effektförlust Pd 260W | ||
Kapseltyp TO-3PF | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Switchhastighet 1MHz | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.3V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden ECOPACK | ||
Serie V | ||
Höjd 26.7mm | ||
Längd 15.7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
IGBT Discretes, STMicroelectronics
Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics
Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.
Relaterade länkar
- STMicroelectronics, Trench Gate Fältstopp IGBT, Typ N Kanal, 60 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-3PF Genomgående hål
- STMicroelectronics, Trench Gate Fältstopp IGBT, Typ N Kanal, 10 A 600 V, 3 Ben, TO-252 Yta
- STMicroelectronics, Trench Gate Fältstopp IGBT, Typ N Kanal, 30 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, Trench Gate Fältstopp IGBT, Typ N Kanal, 40 A 650 V, 3 Ben, TO Genomgående hål
- onsemi, IGBT, Typ N Kanal, 40 A 600 V 130 ns, 3 Ben, TO-3PF Genomgående hål
- onsemi, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-3PF Genomgående hål
- onsemi AEC-Q101, Fältstopp IGBT, Typ N Kanal, 80 A 600 V 25 ns, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics Demokort IGBT-gate-drivning till STDRIVEG600