STMicroelectronics, Trench Gate Fältstopp IGBT, Typ N Kanal, 40 A 650 V, 3 Ben, TO Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 30 enheter)*

620,94 kr

(exkl. moms)

776,16 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 06 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 - 9020,698 kr620,94 kr
120 - 24020,138 kr604,14 kr
270 - 48019,60 kr588,00 kr
510 - 99019,103 kr573,09 kr
1020 +18,629 kr558,87 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
192-4655
Tillv. art.nr:
STGWT20H65FB
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

40A

Produkttyp

Trench Gate Fältstopp IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

168W

Kapseltyp

TO

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Serie

HB

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
KR
These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate and field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, a slightly positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Maximum junction temperature: TJ= 175 °C

High speed switching series

Minimized tail current

VCE(sat)= 1.55 V (typ.) @ IC= 20 A

Tight parameters distribution

Safe paralleling

Low thermal resistance

Lead free package

Relaterade länkar