STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

203,62 kr

(exkl. moms)

254,525 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 01 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2040,724 kr203,62 kr
25 - 4538,684 kr193,42 kr
50 - 12034,854 kr174,27 kr
125 - 24531,338 kr156,69 kr
250 +29,748 kr148,74 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
791-7637
Tillv. art.nr:
STGW40V60DF
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

80A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

283W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.3V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

5.15 mm

Längd

15.75mm

Serie

V

Standarder/godkännanden

Lead free package

Höjd

20.15mm

Fordonsstandard

Nej

IGBT Discretes, STMicroelectronics


Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar

Recently viewed