STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 30 enheter)*

823,08 kr

(exkl. moms)

1 028,85 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 02 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 - 3027,436 kr823,08 kr
60 - 12026,749 kr802,47 kr
150 +26,066 kr781,98 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-7004
Tillv. art.nr:
STGW40V60DF
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

80A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

283W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Serie

V

Bredd

5.15 mm

Standarder/godkännanden

Lead free package

Höjd

20.15mm

Längd

15.75mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics


Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar