Infineon, IGBT-modul, Typ N Kanal, 900 A 1200 V, 10 Ben, PrimePACK2 Klämma

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

4 837,95 kr

(exkl. moms)

6 047,44 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 05 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 14 837,95 kr
2 - 24 692,80 kr
3 +4 499,49 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
761-3341
Tillv. art.nr:
FF900R12IE4BOSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

900A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

510W

Kapseltyp

PrimePACK2

Fästetyp

Klämma

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

10

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.1V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

89 mm

Längd

172mm

Höjd

38mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
DE

IGBT-moduler, Infineon


Anoden Infineon sortimentet av IGBT-moduler erbjuder låg switchförlust för switchning av frekvenser upp till 60 Khz.

IGBT:erna spänner över en rad kraftmoduler som ECONOPACK-paketen med kollektor-emitterspänning på 1200 V, PrimePACK IGBT chopper-moduler med halvbrygga och NTC upp till 1600/1700V. PrimePACK IGBT:erna finns i industriella, kommersiella, bygg- och jordbruksfordon. N-kanals TRENCHSTOP TM och Fieldstop IGBT-moduler är lämpliga för hård- och mjukkopplande applikationer som t.ex. växelriktare, UPS och industriella frekvensomriktare.

Förpackningarna innehåller: 62 mm moduler, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

Diskreta IGBBT-enheter och moduler, Infineon


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar