Infineon, IGBT-modul, Typ N Kanal, 300 A 1200 V 800 ns, 5 Ben, 62 mm modul Klämma

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

2 120,09 kr

(exkl. moms)

2 650,11 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 07 februari 2028
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 12 120,09 kr
2 - 42 056,54 kr
5 +1 971,65 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
752-8170
Tillv. art.nr:
BSM200GA120DN2HOSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

300A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

1550W

Fästetyp

Klämma

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

5

Switchhastighet

800ns

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

3.7V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

DIN humidity Category F, IEC climatic Category 40 / 125 / 56

Längd

106.4mm

Höjd

36.5mm

Bredd

61.4 mm

Fordonsstandard

Nej

IGBT-moduler, Infineon


Anoden Infineon sortimentet av IGBT-moduler erbjuder låg switchförlust för switchning av frekvenser upp till 60 Khz.

IGBT:erna spänner över en rad kraftmoduler som ECONOPACK-paketen med kollektor-emitterspänning på 1200 V, PrimePACK IGBT chopper-moduler med halvbrygga och NTC upp till 1600/1700V. PrimePACK IGBT:erna finns i industriella, kommersiella, bygg- och jordbruksfordon. N-kanals TRENCHSTOP TM och Fieldstop IGBT-moduler är lämpliga för hård- och mjukkopplande applikationer som t.ex. växelriktare, UPS och industriella frekvensomriktare.

Förpackningarna innehåller: 62 mm moduler, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

Diskreta IGBBT-enheter och moduler, Infineon


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar