STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 200 A 600 V, 4 Ben, ISOTOP Klämma

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

281,34 kr

(exkl. moms)

351,68 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 8 enhet(er) från den 23 februari 2026
  • Dessutom levereras 577 enhet(er) från den 02 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 1281,34 kr
2 +267,23 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
686-8348
Tillv. art.nr:
STGE200NB60S
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

200A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

600W

Kapseltyp

ISOTOP

Fästetyp

Klämma

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

4

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.6V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

38.2mm

Standarder/godkännanden

ECOPACK, JESD97

Höjd

12.2mm

Bredd

31.7 mm

Serie

Powermesh

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics


Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar

Recently viewed