STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 200 A 600 V, 4 Ben, ISOTOP Klämma

Se alla IGBT:er

Antal (1 rör med 10 enheter)*

2 690,02 kr

(exkl. moms)

3 362,52 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 570 enhet(er) från den 02 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
10 +269,002 kr2 690,02 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-6463
Tillv. art.nr:
STGE200NB60S
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

200A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

600W

Kapseltyp

ISOTOP

Fästetyp

Klämma

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

4

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.6V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

ECOPACK, JESD97

Serie

Powermesh

Höjd

12.2mm

Längd

38.2mm

Bredd

31.7 mm

Fordonsstandard

Nej

IGBT Discretes, STMicroelectronics


Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar