STMicroelectronics, IGBT, Dubbelriktad Kanal Enkel kollektor, 35 A 1350 V, 3 Ben, TO-247 1 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 275-1348
- Tillv. art.nr:
- STGWA35IH135DF2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
43,79 kr
(exkl. moms)
54,74 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 188 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 43,79 kr |
| 5 - 9 | 43,01 kr |
| 10 + | 39,42 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 275-1348
- Tillv. art.nr:
- STGWA35IH135DF2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 35A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1350V | |
| Antal transistorer | 1 | |
| Maximal effektförlust Pd | 416W | |
| Konfiguration | Enkel kollektor | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Dubbelriktad | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 21mm | |
| Bredd | 15.8mm | |
| Längd | 19.92mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 35A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1350V | ||
Antal transistorer 1 | ||
Maximal effektförlust Pd 416W | ||
Konfiguration Enkel kollektor | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Dubbelriktad | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 21mm | ||
Bredd 15.8mm | ||
Längd 19.92mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics IGBT 1350 V IH2-serien har utvecklats med en avancerad proprietär grindgate-fältstoppsstruktur, vars prestanda optimeras både i lednings- och omkopplingsförluster för mjuk omkoppling. En fritt hjulande diod med låg spänningsfall ingår. Resultatet är en produkt som är speciellt utformad för att maximera effektiviteten för alla resonanta och mjuka omkopplingstillämpningar.
Utformad för mjuk omkoppling
Minimerad slutström
Tight parameterfördelning
Låg värmeresistans
Relaterade länkar
- STMicroelectronics, IGBT, Dubbelriktad Kanal Enkel kollektor, 35 A 1350 V, 3 Ben, TO-247 1 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Dubbelriktad Kanal Enkel kollektor, 25 A 1350 V, 3 Ben, TO-247 1 Genomgående hål
- Infineon IHW30N135R3FKSA1 IGBT, 30 A 1350 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 30 A 1350 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål 1
- Infineon, Omvänt ledande IGBT, Typ N Kanal, 80 A 1350 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 40 A 1350 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal Enkel, 3 Ben, TO-247 1
- STMicroelectronics, IGBT Enkel kollektor, 4 A 600 V, 3 Ben, TO-252 1 Yta