Infineon, MOSFET, N Kanal Enkel, 10.9 A, 8 Ben, PG-TDSON-8 1 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 273-5239
- Tillv. art.nr:
- BSC16DN25NS3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (5000 enheter, på en rulle med 5000)*
47 365,00 kr
(exkl. moms)
59 205,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 01 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 9,473 kr | 47 365,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-5239
- Tillv. art.nr:
- BSC16DN25NS3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 10.9A | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal effektförlust Pd | 62.5W | |
| Antal transistorer | 1 | |
| Konfiguration | Enkel | |
| Kapseltyp | PG-TDSON-8 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 8 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5.1mm | |
| Höjd | 1.15mm | |
| Standarder/godkännanden | IEC 61249-2-21 | |
| Bredd | 6.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 10.9A | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal effektförlust Pd 62.5W | ||
Antal transistorer 1 | ||
Konfiguration Enkel | ||
Kapseltyp PG-TDSON-8 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 8 | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5.1mm | ||
Höjd 1.15mm | ||
Standarder/godkännanden IEC 61249-2-21 | ||
Bredd 6.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET är en N-kanal MOSFET med 150 graders driftstemperatur. Den är optimerad för dc-till-dc-konvertering. Denna MOSFET är kvalificerad enligt JEDEC för måltillämpningar. Denna MOSFET är halogenfri enligt IEC61249 2 21-standard.
RoHS-kompatibel
Blyplätering utan bly
Låg påslagningsresistans
Utmärkt grindladdning
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, N Kanal Enkel, 10.9 A, 8 Ben, PG-TDSON-8 1 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 153 A 25 V, 8 Ben, PG-TDSON-8 1 Genomgående hål
- Infineon N Kanal, N-kanals MOSFET, 85 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, ISC
- Infineon, IGBT, N Kanal Dubbel, 40 A, 8 Ben, PG-TISON-8 1 Genomgående hål
- Infineon N Kanal, Effekttransistor, 541 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, ISC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 24 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, ISC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 164 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, ISC
- Infineon N Kanal, Effekttransistor, 142 A 135 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, ISC